一、 前言
金屬化孔質量與多層闆質量及可靠性息息相關。金屬化孔起着多層印製線路電氣互連的作用。孔壁鍍銅層質量是印製闆質量的核心，不僅要求鍍層有閤適的厚度、均勻性和延展性，而且要求鍍層在288℃熱衝擊10秒不能産生斷裂。因爲孔壁鍍銅層熱衝擊斷裂是一種緻命的缺陷，牠將造成內層線路間和內層與外層線路之間斷路；輕者影響線路斷續導電，重者引起多層闆報廢。
目前，印製闆生産中經常齣現的金屬化孔鍍層缺陷主要有：金屬化孔內鍍銅層空洞、瘤狀物、孔內鍍層薄、粉紅圈以及多層闆孔壁與內層銅環連接不良等。這些缺陷的絶大多數將導緻産品報廢，造成嚴重的經濟損失，影響交貨期。
二、金屬化孔鍍層主要缺陷的産生原因及相應對策
我們首先簡單迴顧一下多層印製闆的製造工藝過程。
下料-> 製闆-> 蝕刻-> 黑化-> 層壓->鑽孔-> 去沾汙及凹蝕處理-> 孔金屬化->全闆電鍍-> 製闆-> 圖形電鍍-> 脫膜->蝕刻-> 絲印阻焊 ->熱風整平 絲印字符
本文將從鑽孔工序、孔壁去樹脂沾汙及凹蝕處理工序、電鍍及多層闆層壓工序等幾箇方麵，分析金屬化孔鍍層的主要缺陷及産生原因，闡述如何優化工藝蔘數，進行嚴格的工藝及生産管理，以保證孔化質量。
1、 鑽孔工序
大多數鍍層空洞部位都伴隨齣現鑽孔質量差引起的孔壁缺陷，如孔口毛刺、孔壁粗糙、基材凹坑及環氧樹脂膩汙等。由此造成孔壁鍍銅層空洞，孔壁基材與鍍層分離或鍍層不平整。下麵，將對孔壁缺陷的成因及所採取的措施進行闡述：
1．1 孔口毛刺的産生及去除
無論是採用手工鑽還是數控鑽，也無論是採用何種鑽頭和鑽孔工藝蔘數，覆銅箔闆在其鑽孔過程中，産生毛刺總是不可避免的。孔口毛刺對於金屬化孔質量的影響歷來不被人們所重視，但對於高可靠性印製闆的金屬化孔質量來講，牠卻是一箇不可忽視的因素。
首先，孔口毛刺會改變孔徑尺寸，導緻孔徑入口處尺寸變小，影響元器件的插入。其次，凸起或凹陷進入孔內的銅箔毛刺，將影響孔金屬化過程中電鍍時的電力線分佈，導緻孔口鍍層厚度偏薄和應力集中，從而使成品印製闆的孔口鍍銅層在受到熱衝擊時，極易因基闆熱膨脹所引起的軸曏拉伸應力造成斷裂現象。
傳統的去毛刺方法是用200(400號水砂紙仔細的打磨。後來髮展到用碳化硅磨料的尼龍刷機械拋刷。但隨著印製闆技術的不斷髮展，9(18微米超薄型銅箔的推廣應用，使印製闆加工過程中的去毛刺技術也髮生瞭很大變化。據報道，國外己開始採用液體噴砂研磨法來去除孔口毛刺。
一般來説，對於去銅箔厚度在18微米以上的覆銅箔層壓闆孔口毛刺，採用機械拋刷法是十分有效的，隻是操作時，必鬚嚴格控製好刷轆中碳化硅磨料的粒度和刷闆壓力，以免壓力過大和磨料太粗使孔口顯露基材。用於去毛刺的尼龍刷轆中，碳化硅磨料的粒度一般爲320(380#。
現代的雙麵去毛刺機共有四箇刷轆，上下各半，能一次性將覆銅箔闆兩麵的孔口毛刺衕時去除榦淨。在去除衕樣一麵的孔口毛刺時，兩箇刷轆的轉動方曏是相反的。一箇沿順時針方曏轉動，一箇沿反時針方曏轉動，加上每箇刷轆的軸曏擺動，使孔口毛刺受到沿闆麵各箇方曏上刷闆力的均勻作用，從而被徹底地除去。去毛刺機必鬚配備高壓噴射式水衝洗段。
液體噴砂研磨法，是利用一颱專用設備，將碳化硅磨料藉助於水的噴射力噴射在闆麵上，從而達到去毛刺的目的。
1．2 孔壁粗糙、基材凹坑對鍍層質量的影響
在化學鍍銅體繫良好的狀態下，鑽孔質量差的孔壁容易産生鍍銅層空洞。因爲在孔壁光滑的錶麵上，容易穫得連續的化學鍍銅層，而在粗糙的鑽孔孔壁上，由於化學鍍銅的連續性較差，容易産生針孔；尤其是當孔壁有鑽孔産生的凹坑時，卽使化學鍍層很完整，但是在隨後的電鍍銅時，因爲有電鍍層摺疊現象，電鍍銅層也不易均勻一緻，在鑽孔凹坑處，容易存在鍍層薄，甚至鍍不上銅而産生鍍層空洞。
1．3 環氧樹脂膩汙的成因
我們知道，印製闆鑽孔是一箇很複雜的加工過程，基闆在鑽頭切削刃機械力，包括剪切、擠壓、扯裂、摩擦力的作用下，産生彈性變形、塑性變形與基材斷裂、分離形成孔。
其中，很大部分機械能轉化爲熱能。特彆是在高速切削的情況下，産生大量熱能，溫度
陡然陞高。鑽孔時，鑽頭溫度在200℃以上。印製闆基材中所含樹脂的玻璃化溫度與之相比要低得多。軟化瞭的樹脂被鑽頭牽動，膩在被切削孔壁的銅箔斷麵上，形成膩汙。清除膩汙較睏難，而且一旦在銅箔斷麵上有一定量的膩汙，會降低甚至破壞多層闆的互連性。
1．4 避免鑽孔缺陷産生，提高鑽孔質量的途徑
孔口毛刺、孔壁粗糙、基材凹坑及環氧樹脂膩汙等缺陷，可通過加強以下幾方麵的工藝、質量控製，得以去除或削弱，從而達到提高鑽孔質量的目的。
1．4．1 鑽頭的質量控製
鑽頭本身的質量，對鑽孔的質量起著極爲關鍵的作用，要求碳化鎢閤金材料的粒度必鬚非常細微，應達到亞微級。碳化鎢閤金無疏孔能耐磨，鑽柄與切削刃部分的直徑公差，均在0(0．005mm範圍內，整箇鑽部、鑽尖及柄部衕心度公差在0．005mm以內，鑽頭的幾何外形無缺損，卽在40倍放大鏡下觀察，應無破口。
一隻好的鑽頭還應該具備另外一箇特性，卽對稱性。鑽頭的兩麵在尺寸和形狀上必鬚相衕。對稱性差會産生磨損鑽頭刃。爲瞭保證鑽頭質量，必鬚對供貨廠傢嚴格選擇，應從質量信得過的鑽頭生産廠傢進貨。併對鑽頭進貨進行檢驗，不閤格的産品不準用於生産。
1．4．2 鑽頭的形狀選擇
鑽頭的主要形狀，一般分爲普通型及錐斜型、鏟型和特殊型，對於小孔特彆是多層闆小孔，最好採用後三種，後三種的特點是刃帶的長度比較短，一般爲0．5mm左右，牠們可以明顯減少鑽孔的髮熱量，減少沾汙。
1．4．3 鑽頭排溝槽的長度
鑽頭排溝槽的長度，對排屑是否順利起着至關重要的作用。如果排屑的溝槽太短，鑽屑無法順利排山，鑽孔的阻力增大，易造成鑽頭斷裂，且易沾汙孔壁。所以，一般情況下，鑽頭排屑槽的長度，應爲所疊闆厚(包括上蓋闆)加上鑽頭進入下墊闆深度和的1．15倍，卽應使排屑槽的長度，至少有15％部分留在闆外。
1．4．4 控製鑽孔的工藝蔘數
這裡所指的鑽孔工藝蔘數包括每疊闆的塊數、鑽數／進給比。
1．4．5 鑽頭的壽命控製
由於每箇工廠的情況都不完全一緻，鑽頭使用的壽命也有所差異，應根據具體的實驗結果確定。當孔的質量指標中，有一項己—下降到接近公差極限時，就需要更換鑽頭，換下去翻磨或報廢。一般情況下，多層闆允許的最大鑽孔數爲1500箇孔，而且，多層闆一般不翻磨鑽頭。
1．4．6 上蓋闆、下墊闆的使用
1．4．6．1 上蓋闆的使用
鑽孔時使用的上蓋闆，可以起以下幾箇方麵的作用：
1)防止壓力腳對闆麵的損壞；
2)防止入口麵毛刺的産生；
3)改善孔徑精度；
4)減少小孔斷鑽頭的機率。
假若不使用上蓋闆，那麽，鑽頭在穿透薄的銅箔後，鑽頭的某一邊有可能會與玻璃佈撞擊，導緻鑽頭的一邊受到較大的切削力，因而鑽頭會髮生傾斜，從而影響定位精度。而且，在穿透之後，鑽頭在退迴時，受力不均衡，鑽頭易摺斷。上蓋闆一般可採用0．2(O．4mm厚的硬鋁箔。
1．4．6．2 下墊闆的使用
使用下墊闆，可以防止鑽頭碰到工作颱麵；還可防止齣口麵産生毛刺。
下墊闆除瞭要求平整外，還需要有一定的硬度，沒有油汙染，以防止偏孔毛刺和孔壁沾汙。美國層壓闆公司有一種波紋闆下墊闆，當鑽頭鑽透很簿的鋁箔後，在空氣中高速镟轉，當提鑽時，由於文氏管效應，一股氣流有效地冷卻鑽頭，大大降低瞭鑽孔溫度。
1．4．7 鑽頭進入下墊闆的深度控製
鑽頭進入下墊闆的深度應該適度。下鑽太深，使得排屑槽留於闆外的部分小，不利於碎屑的排齣，易堵塞孔，使鑽頭易於斷在孔內。其次，鑽得太深，有可能鑽到鑽機工作颱上，使鑽颱損壞。另外，一般對1．5(1．7厚的墊闆，爲提高使用效率，降低生産成本，大多使用兩次，兩麵各用一次，如果鑽得太深，會使墊闆鑽穿，容易産生毛刺。對於大於0．6mm的鑽頭，下墊闆鑽入深度應爲0．75mm；而小於0．6mm大於0．3mm的鑽頭，下墊闆的鑽入深度爲0．6mm；而對小於0．3mm的鑽頭，可以在下墊闆上墊一厚紙，進行試鑽，以確定下鑽的深度。這些蔘數一旦確定，將這些數據編入鑽孔程序中。
2．孔壁去樹脂沾汙及凹蝕處理工序
首先應該指齣，凹蝕與去沾汙是兩箇互爲關聯，但又相互獨立的概念和工藝過程。
所謂凹蝕，是指爲瞭充分暴露多層闆的內層導電錶麵，而控製性地去除孔壁非金屬材料至規定深度的工藝。
所謂去沾汙，是指去除孔壁上的熔融樹脂和鑽屑的工藝。
顯然，凹蝕的過程也是去沾汙的過程。但是，去沾汙工藝卻不一定有凹蝕效應。
盡管人們選擇優質基材、優化多層闆層壓及鑽孔工藝蔘數，但孔壁環氧沾汙仍不可避免。爲此，多層闆在實施孔金屬化處理之前，必鬚進行去沾汙處理。爲進一步提高金屬化孔與內層導體的連接可靠性，最好在去沾汙的衕時，進行一次凹蝕處理。經過凹蝕處理的多層闆孔，不但去除瞭孔壁上的環氧樹脂粘汙層，而且使內層導線在孔內凸齣，這樣的孔，在實現瞭孔金屬化之後，內層導體與孔壁層可以得到三維空間的可靠連接，大幅度提高多層闆的可靠性。凹蝕深度一般要求爲5(10微米。
孔壁去樹脂沾汙的方法大緻有四種，卽等離子、濃硫痠、鉻痠及高錳痠鉀去沾汙。由於高錳痠鉀去樹脂沾汙有較多優點：産生微小不平的樹脂錶麵，不像濃硫痠腐蝕樹脂産生光滑錶麵；也不像鉻痠易産生樹脂過腐蝕而使玻璃纖維凸齣於孔壁，且不易産生粉紅圈，這些都是高錳痠鉀去樹脂沾汙的優點，故目前被廣泛採用。
爲使高錳痠鉀去沾汙及凹蝕處理穫得均衡腐蝕速率，必鬚做好工藝技術管理及維護工作，具體是：
2．1 選用最佳工藝蔘數
以安美特公司溶液爲例，其蔘數爲：
1)溶脹劑Securiganth
P：450(550ml/L，最佳500ml/L。
PH校正液：15(25ml/L，最佳23ml/L。
或氫氧化鈉NaOH：6(10g／L，最佳10g/L。
工作溫度：60(80℃，最佳70℃。
處理時間：5分30秒。
2)高錳痠鉀KMnO4：50(60g/L，最佳60g/L。
氫氧化鈉NaOH：30(50g／L，最佳40g／L。
工作溫度：60(80℃，最佳70℃。
處理時間：12分。
3)還原劑SecuriganthP：60(90ml/L，最佳75m1/L。
硫痠H2SO4：55(92g/L，最佳92g／L。
玻璃蝕刻劑：5(10g／L，最佳7．5g／L。
工作溫度：50℃。
處理時間：5分。
2．2 每週測定一次高錳痠鉀KMnO4、錳痠鉀K2MnO4、氫氧化鈉NaOH濃度，必要時，調整KMnO4及NaOH濃度。
2．3 可能情況下，堅持連續不斷的電解，使錳痠鉀K2MnO4氧化爲高錳痠鉀KMnO4。
2．4 觀察KMnO4去樹脂沾汙後的印製闆錶麵顔色，若爲紫紅色，説明溶液狀態正常；若爲緑色，説明溶液中K2MnO4濃度太高，這時應加強電解再生工作。
3. 電鍍工序
3．1 電鍍前的闆材處理——化學粗化
爲瞭保證化學鍍銅層與基體銅箔的結閤力，在化學鍍銅(沉銅)前，必鬚對銅箔錶麵進行一次微粗化(微蝕)處理，處理方法一般採用化學浸蝕，卽：通過化學粗化液的微蝕作用，使銅箔錶麵呈現凹凸不平的微觀粗糙麵，併産生較高的錶麵活化能。
印製闆鍍銅工藝中常用的微蝕液有：過硫痠銨(NH4)2S2O8、雙氧水H2O2及過硫痠鈉(Na2)2S2O8三種體繫。前者溶液不穩定、易分解，因而微蝕速率不易恆定；H2O2—H2SO4體繫雖使用方便，甚至可以自動添加來調整濃度，但需用H2O2穩定劑及潤浸劑，價格不低，且微蝕速率較低，一般爲0．5(0．6μm／Min；而(Na2)2S2O8—H2SO4蝕刻液，微蝕銅速率較大，且較穩定，可以提供較閤適的微觀粗糙麵，從而保證化學鍍銅層熱衝擊不斷裂。要使孔壁銅鍍層288℃熱衝擊10秒不斷裂或不産生裂紋，微蝕液蝕刻銅速率必鬚達到0．7(0．9μm/Min，(Na2)2S2O8—H2SO4體繫可以實現此目的。
工藝配方：
(Na2)2S2O8：60(80g/l，最佳70g／l。
H2SO4：15ml/L。
Cu2+：1(20g／l。
工作溫度：30(50℃。
處理時間：2分。
1)每天生産前，對(Na2)2S2O8濃度進行分析，必要時調整。
2)每天生産前，測一次蝕刻速率，用18μm銅箔試片浸在蝕刻液工作槽中，記下銅箔腐蝕完時間，從而可以快速、簡便地測定蝕刻速率，必要時補加(Na2)2S2O8。
3)溶銅量大於20g/l時，更換溶液。剛開缸時，蝕刻速率較小，可以適當增加(Na2)2S2O8濃度。
3．2 優化電鍍工藝蔘數
對高密細線條、高層次(14(20層)、大闆後孔徑比(6(10：1)的小孔鍍來説，最大的難點是：鍍液在孔中難交換及電鍍的均勻性、分散性能差。爲此，必鬚優化電鍍工藝蔘數。
1)選用低Cu2+、高H2SO4濃度的主鹽成份，且H2SO4與Cu2+濃度比至少是10：1。
Cu2+：10(13g／l。
H2SO4：190(220g／l。
Cl-：30(50ppm。
[H2SO4]：[Cu2+]＝17(20：l
溫度：22(26℃。
2)選用低的陰極電流密度和長電鍍時間。
3)在保證鍍銅液三種攪拌方式陰極移動、壓縮空氣攪拌、循環)的基礎上，在運行桿上安裝振動裝置。
有瞭振動裝置，陰極不僅有前後擺動，而且有上下振動，這就必然促進電鍍液在小孔中的交換，從而提高鍍液的分散性能，卽使孔口與孔中心的鍍層厚度差變小。
採用上述三點措施，大大提高瞭小孔鍍層的均勻性和提高瞭深鍍能力，避免瞭孔壁鍍層薄甚至鍍層空洞的産生，從而提高瞭小孔的孔金屬化質量。
4. 多層闆層壓工序
信息技術革命的髮展，促進瞭印製電路層數的增加、佈線密度的提高、結構的多樣化及尺寸的允差減小，因而，層壓工序成瞭多層闆生産的關鍵。
層壓工藝主要包括內層闆的處理和層壓兩部分。其中，對多層印製闆的孔金屬化質量，起至關重要作用的主要有以下兩箇方麵：
4．1 層壓材料固化作用應完全
這裡指的層壓材料，主要指內層闆單片和層壓工序結束後的多層印製闆。
1)
內層闆單片在下料後，應根據單片厚度情況，控製每疊闆的數量，水平擺置進行預烘處理；
2) 層壓工序結束後的多層印製闆，應進行後烘固化處理，且必鬚在鑽孔工序前進行，不應放在鑽孔後進行。
如果沒有上述兩道工序，層壓闆材料固化作用不充分，就容易産生環氧沾汙，影響鑽孔質量。且對固化不完全的層壓闆鑽孔時，大量粘滯性很強的切屑會塞滿鑽孔的排屑槽內，無法排除，最終可能造成鑽頭摺斷。
4．2 優化層壓工藝，減少粉紅圈現象的産生
所謂粉紅圈，是指通過孔壁與內層銅環的交界處，其孔環銅麵的氧化膜已經變色，或由於化學反應而被除去，露齣銅的本色(粉紅色)的現象。
隨著印製闆層數的增加，內層銅箔與孔交接處剝離的可能性增加；隨著孔徑的減小，孔清洗的難度增加，化學物質沿孔壁各層交界處滲透腐蝕的可能性增加。所以，層數越多，孔越小，越會髮生粉紅圈現象。
粉紅圈往往在印製闆製作的後期纔被髮現，影響多層闆的産品質量。首先，會影響多層闆層間的結閤力；其次，溶液順著玻璃纖維的方曏滲入，使得靠得很近的焊盤之間的絶緣電阻降低，嚴重時導緻短路；此外，由於銅環接觸麵積變小，通常金屬化孔所允許的小的瑕疵，如鍍層鼓泡、空洞等，都可能導緻孔線電阻增大，甚至斷路。
在印製闆生産過程中，內層錶麵處理、層壓、固化、鑽孔、凹蝕、化學沉銅、鍍銅等工序，都有可能導緻粉紅圈的産生，關鍵在於黑化層與基材結閤是否牢固，以及黑化層耐腐蝕能力的強弱。印製闆在生産過程中，要經受垂直的機械衝擊力和水平的化學浸蝕力，故層間要有足夠的結閤力，纔能抵擋住這兩種作用的危害。層間抗剝離強度低、黑化層耐腐蝕能力差，是産生粉紅圈現象的主要原因。
1)
提高黑化層與基材的結閤力。
對銅錶麵進行黑化處理，使其錶麵生成一層氧化物(黑色的氧化銅或紅色的氧化亞銅或兩者的混閤物)，以進一步增加比錶麵，改善銅箔與基材的結閤狀況。優化黑化工藝蔘數，黑化層與基材的結閤能力與黑化工藝、氧化物的晶體結構、氧化物層的厚度等因素有關。
2)
提高黑化層耐腐蝕能力。
可通過減小氧化層厚度的方法。用機械方法去掉一層，也可用化學還原方法。可供選擇的還原劑有：甲醛／氫氧化鈉、過磷痠鈉、硼氫化鈉等。黑化層經還原後，不僅抗剝離強度增加而且抗痠蝕能力也增強。
5. 産生孔金屬化鍍層缺陷的其牠幾種因素及相應對策
5．1 由氣泡存在所造成的金屬化孔鍍層空洞。
總的來説，孔中氣泡的存在，可能阻礙鍍液或活化液層積。最終造成金屬化孔內鍍層空洞。氣泡的裹入，有外部引入和內在産生兩種。
5．1．1 氣泡引入途徑：
外來氣泡的引入，有可能是在闆子進入槽中時，或振動、搖擺時進入通孔中的。
固有氣泡的引入，是由化學沉銅液中，副反應産生氫氣引起：
2HCHO十2CU2+十4OH—→Cu十2HCOO—十2H2O十H2↑
或由電鍍液中，陰極産生氫氣或陽極産生氧氣所引起的：
陰極副反應：2H++2e→H2
陽極副反應：2H2O
-4e→O2↑+4H+
5．1．2 氣泡引起的金屬化孔鍍層空洞特徵：
氣泡引起的金屬化孔鍍層空洞，常常位於孔的中央，通過金相切片可見其呈對稱分佈，卽對麵孔壁錶麵有衕樣寬度範圍內無銅。
5．1．3 氣泡空洞可能産生的工序：
氣泡空洞可能産生的工序主要有化學沉銅、全闆電鍍和圖形電鍍工序。
5．1．4 避免氣泡進入孔中的方法：
最有效的避免氣泡進入孔中的方法爲振動和碰撞。衕時，增加闆麵間隔，增加陰極移動距離也十分重要。
化學沉銅槽中空氣攪拌和活化槽撞擊或振動，對避免氣泡進入孔中作用不大。此外，增加化學沉銅潤濕性，前處理槽位避免氣泡也十分重要。鍍液的錶麵能量與氫氣氣泡在跑齣孔中或破滅前的尺寸有關，顯然希望氣泡在變大前排除瞭孔外，以免阻礙溶液交換，造成孔中鍍層缺陷。
5．2 由有機榦膜所造成的金屬化孔鍍層空洞。
5．2．1 有機榦膜所造成的金屬化孔鍍層空洞特徵：
有機榦膜造成的金屬化孔鍍層空洞，往往位於孔口，卽位於離闆麵較近的位置，大約50(70μm寬，離闆麵50(70μm。邊緣空洞可能位於闆一麵或兩麵，可能造成完全或部分開路。
5．2．2 造成榦膜抗蝕劑入孔的原因：
對於被有機榦膜覆蓋的孔，孔中氣壓比大氣壓要低2O％，貼膜時，孔中空氣熱，當空氣冷到室溫時，氣壓降低。因而，壓差導緻抗蝕劑慢慢流入孔中，直至顯影。
主要有三種因素導緻榦膜抗蝕劑流動的速度和深度，卽：貼膜前孔裡有水或水氣；高厚徑比小孔；貼膜與顯影時間太長。
水氣停在孔中是其中的主要原因，水分可以降低抗蝕劑粘度，使其較快流入孔中。高厚徑比小孔較易髮生空洞問題，這是由於這種孔較難榦燥。小孔中的抗蝕劑也較難顯影。顯影前時間較長也使更多抗蝕劑流入孔中。
5．2．3 孔口空洞成因：
由於抗蝕劑進入孔內，顯影時未去掉，牠阻礙銅、錫電鍍。當抗蝕劑在去膜時去掉後，下部的銅層被裸露齣來，因而，一經蝕刻，銅層被蝕刻掉，形成瞭鍍層空洞。
5．2．4 避免孔口空洞産生的措施：
避免孔口空洞産生的最佳及最簡單的辦法是，在錶麵處理後增加烘榦程度。孔若榦燥，不會髮生孔口空洞。再長的放置時間和顯影不佳，也不會造成孔口空洞。
增加烘榦後，盡可能使貼膜與顯影間的放置時間短，但要考慮穩定問題，若髮生以下情況，孔口空洞可能會髮生(以前沒有)：
1)新的錶麵處理設備及榦燥設備安裝後；
2)錶麵處理設備榦燥段功能失常；
3)生産高厚徑比小孔闆；
4)貼膜與顯影時間長；
5)抗蝕劑變化或換厚的榦膜；
6)真空貼膜機壓差更大。
5．3 由其牠因素所造成的金屬化孔鍍層空洞。
固態物(塵、棉)或有機粘汙的存在，衕樣會阻礙鍍液或活化液層積，最終導緻孔金屬化鍍層空洞。
三、結論
多層印製闆金屬化孔鍍層缺陷的成因，控製造工序，可追遡到鑽孔工序，也可以在鍍鉛／錫時纔髮生。有時，一種鍍層缺陷，常常是多種工藝條件相互影響而産生的，牠們可能衕時作用，也可能有先後順序。因而，沿工藝流程仔細分析，有必要時，採用金相切片技術，有可能準確地找到根本原因。在此基礎上，通過優化工藝蔘數，進行嚴格工藝及生産管理，纔能達到提高金屬化孔鍍層質量的目的。